金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名�为�“去除介电层的方法、栅极结构的形成方法�及半导体结构”的专利，公☹️开号�CN120322016A，申请日期为2025年03月…

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